SiC MOSFETのゲート駆動回路を学びたいとき、どの本を選べばよいか迷いますよね。
この本ではSiC MOSFETを説明し、ゲート容量の影響やゲート駆動法の工夫も取り上げています。
今回は『基礎から学ぶスイッチング電源の要素デバイス』を紹介します。
おすすめ商品の早見表
| 商品名 | 第4章で扱うデバイス | ゲート駆動の掲載内容 | ページ数 | 参考価格 |
|---|---|---|---|---|
基礎から学ぶスイッチング電源の要素デバイス | SiC MOSFET・GaN HEMT | ゲート駆動法の工夫 | 238ページ | 4,180円(2026年10月28日時点) |
基礎から学ぶスイッチング電源の要素デバイス
SiC MOSFETとゲート駆動に関わる内容を、パワー半導体デバイスの学習とあわせて読みたい人におすすめです。第4章ではSiC MOSFETとGaN HEMTを説明し、第5章では縦型パワーMOS素子のターンオン・ターンオフ過程やゲート駆動法の工夫を取り上げています。ゲート容量が回路特性に及ぼす影響や、配線インダクタンスとの共振についても学べます。
第7章以降ではコンデンサやコイルも扱っており、スイッチング電源の要素デバイスを幅広く読み進められます。さらに深く学びたい人に向けて、巻末に参考文献も掲載されています。

基礎から学ぶスイッチング電源の要素デバイス
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